Qualcomm и Samsung сделают 10-нанометровый Snapdragon 835 вместе’ />

Samsung, ужe дaвнo занимающаяся производством процессоров для Qualcomm, расширяет сотрудничество с американским чипмейкером. Компании объявили, что следующую флагманскую смартфонную систему-на-кристалле Qualcomm – Snapdragon 835 – они будут разрабатывать вместе.

"Мы ожидаем, что использование технологий Samsung Electronics обеспечит энергоэффективность и производительность нового топового процессора Snapdragon 835, а также позволит снабдить его функциями, которые будут важны для пользователей мобильных устройствами в будущем", – заявил Кит Крессин, первый вице-президент подразделения по управлению продуктовым производством Qualcomm Technologies Inc.

Напомним, Samsung анонсировала готовность своих фабрик к выпуску чипов по 10-нм техпроцессу в октября этого года. По сравнению с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм кристаллов эффективная площать поверхности увеличена на 30%, производительность – на 27%, а энергопотребление снижено на 40%. То есть  Snapdragon 835 не только станет меньше предшественников, но и будет экономнее расходовать батарею.

Snapdragon 835 оснастят технологией быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge четвертого поколения, обеспечивающей 5 часов работы устройства за 5 минут подключения к зарядному устройству – на 20% быстрее Qucik Charge 3.0. Новый стандарт удовлетворяет требованиям интерфейса USB-C и Google. 

Читайте также: Intel официально представила новое поколение процессоров

Новинка станет первым микропроцессором, выпускаемым по 10-нм технологии: даже Intel пока не освоила массовое производство чипов с такими крочешными транзисторами. Ожидается, что устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года. Snapdragon 835 является развитием процессора Snapdragon 820/21, на базе которого работают большинство флагманских Android-устройств, выпущенных в 2016 году.

Источник: Samsung