Кoмпaния Samsung aнoнсирoвaлa во вторник начало массового производства первой в мире памяти DRAM объемом 4 Гб, которая работает на основе второго поколения интерфейса High Bandwith Memory (HBM2). Южнокорейский технологический конгломерат объявил, что HBM2 предоставляет пропускную способность в 256 Гб/с, а это в два раза выше его предшественника HBM. В Samsung заявили, что эти достижения могут существенно помочь предприятиям и игровой индустрии.

В компании утверждают, что использовали 20 нм техпроцесс и улучшили архитектуру чипа, что позволило увеличить скорость передачи данных в DRAM в семь раз. Чип в большей степени направлен на нужды серверов, параллельных вычислений, сетевых систем и другого.

Samsung   в настоящее время выпускает HBM2 DRAM объемом 4 Гб, но в компании утверждают что выпустят в конце года и память объемом 8 Гб. В компании также добавили, новая память DRAM позволит игровым гигантам Nvidia и AMD освободить более чем 95% места на видеокартах (по сравнению с GDDR5 DRAM), а это уменьшит потребление энергии и увеличит производительность. В теории это может сделать игровые девайсы более компактными и мощными.