Южнoкoрeйскaя компания SK Hynix в текущем квартале приступит к производству микросхем памяти типа HBM2 объемом по 4 ГБ на стек. Информация об этом опубликована на сайте компании.

Представлены два варианта, имеющие четырехъярусную компоновку и рабочее напряжение 1,2 В при частотах 1,6 ГГц и 2,0 ГГц. Пропускная способность этой памяти достигает 204 ГБ/с или 256 ГБ/с при наличии 1024-разрядной шины.

Первая видеокарта с новой памятью может быть представлен уже в следующем месяце на выставке Gamescom 2016, которая пройдет в период с 17 по 21 августа. Речь идет о флагманском ускорителе NVIDIA GeForce GTX TITAN P, которой выйдет в двух модификациях. Старшая модель получит 16 ГБ памяти HBM2 и 4096-разрядную шину, младшая – 12 ГБ памяти и 3072-разрядную шину. На подходе также новые видеокарты AMD Vega с памятью HBM2.